В Петербургском государственном электротехническом университете (СПбГЭТУ) «ЛЭТИ» создали прототип транзистора для перспективной силовой электроники.

Об этом пишут «Известия» со ссылкой на проректора по научной и инновационной деятельности СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Александра Семенова.

Разработка открывает широкие возможности для развития многих отраслей промышленности: автомобиле-, двигателе-, самолето- и машиностроения, космической техники. На ее основе могут быть созданы компьютеры, планшеты, беспилотники, медоборудование, мобильные телефоны и прочее.

Карбид кремния (SiC), из которого сделан транзистор, способен работать при более высоких температурах и напряжениях без потери электрических свойств. Это делает его перспективным для использования в силовой электронике, например, в инверторах и преобразователях энергии. 

«В рамках реализации нашей программы развития «Приоритет 2030» по переходу на новую ЭКБ мы разработали отечественный прототип полевого транзистора на основе карбида кремния на 1,7 кВ», – высказался Семенов.

Ранее ученые из Петербурга создали алмазные пластины для силовой электроники будущего.