Ученые из Северной столицы создали алмазные пластины с добавлением бора для силовой электроники будущего. Об этом сообщили в пресс-службе администрации Санкт‑Петербурга.

Отмечается, что такая разработка стала первым шагом к созданию массовых электронных компонентов, представляющих высокий интерес для современной криптографии, космической и ядерной промышленности. Участие в создании нового метода производства электронных компонентов приняли ученые СПбГЭТУ «ЛЭТИ».

«Наш научный коллектив занимается характеризацией чистых алмазных подложек, легированных бором. Они являются основой для прототипов относительно простых, но весьма эффективных электронных устройств – диодов Шоттки, которые будут характеризоваться высокой надежностью, большим напряжением пробоя, рекордно высокой теплопроводностью и увеличенным сроком службы», – рассказал профессор кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Василий Зубков.

Специалисты отметили, что в настоящее время в электронике используются такие полупроводниковые материалы, как кремний, германий, арсенид галлия и его соединения, но каждый из них имеет недостатки. В связи с этим важной задачей становится поиск новых материалов, способных функционировать в экстремальных условиях, таких как космос, радиоактивные среды, подводные пространства, а также в высокогорных и полярных регионах.

Одним из многообещающих материалов является химически чистый алмаз. Хотя этот материал изначально считается диэлектриком, его способность к внедрению высоких концентраций легирующих элементов позволяет превращать его в полупроводник.

Особенно интерес представляют алмазные кристаллы с борной примесью, которые рассматриваются как основа для устройств опто- и микроэлектроники нового поколения.

Отмечается, что ученые выращивают объемные кристаллы специфическим методом, имитирующим природные условия формирования алмазов в земной коре. Затем полученный кристалл нарезается на пластины с использованием лазерной технологии, которые служат основой для создания других полупроводниковых структур и размещения различных электронных компонентов.

Ранее сообщалось, что ученые из Петербурга нашли вызывающий заболевания симбиоз инфузории и дрожжей.