Группа исследователей Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого разработала уникальный метод оценки радиационной стойкости оксида галлия – перспективного материала для микроэлектроники нового поколения. Эта работа была признана Научным советом РАН важнейшим результатом года в области радиационной физики твердого тела, рассказали в пресс-службе Смольного.

Как подчеркнул губернатор Александр Беглов, это открытие демонстрирует готовность города и его научного сообщества к выполнению поручений президента по развитию отечественной микроэлектроники и укреплению технологического суверенитета. Практическая ценность метода заключается в создании основы для минимизации дефектов при производстве диодов, транзисторов и других элементов. Высокая радиационная стойкость делает оксид галлия идеальным материалом для космической электроники и систем управления на атомных станциях, открывая путь к созданию новых поколений полупроводниковых приборов.

Беглов отметил сильнейшую научную школу университета и его активное сотрудничество с промышленными предприятиями Петербурга, подтвердив, что поддержка науки и молодых специалистов остается одним из ключевых приоритетов развития города.

Ранее ученые из Петербурга и Москвы объяснили действие антибиотика, убивающего устойчивые к лекарствам бактерии.