Ученые из Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» совместно с коллегами из Петербургского государственного университета (СПбГУ) разработали метод для работы с алмазом как с полупроводником в микроэлектронике.

Компонентная база на основе алмаза с точно измеренными примесями бора в перспективе сможет работать в экстремальных условиях, в том числе в космосе, рассказал ТАСС профессор кафедры микро- и наноэлектроники ЛЭТИ Василий Зубков.

«Предложенная методика найдет применение в научных и R&D-разработках структур на основе алмаза. В перспективе в зависимости от концентрации бора мы можем получать структуры под электронные компоненты различных назначений, которые способны работать в критических и экстремальных условиях, в первую очередь в космосе», – рассказал Зубков.

По его словам, базовая основа микроэлектроники – кремний сегодня подходит к пределам своих возможностей. При высоких температурах, воздействии радиации полупроводниковые свойства материала деградируют. Также кремний имеет ряд структурных ограничений при создании микроэлектроники на новых физических принципах.

Сам по себе алмаз – диэлектрик, не проводящий электрический ток. Но если в его кристаллическую структуру добавить бор, то с этой примесью он превращается в полупроводник. Алмазы для таких целей экономнее всего выращивать искусственно, добавляя бор.

Ученые смогли точно определять концентрацию добавленного бора в наноразмерных слоях алмаза методом инфракрасной спектроскопии. С полученными данными специалисты разработали математическую модель, которая позволяет рассчитывать необходимые концентрации бора в наноразмерных слоях полупроводниковых структур. Материалы для исследований предоставил отечественный производитель алмазных структур «НПК «Алмаз».

Ранее петербургские ученые разработали прибор для бесконтактного определения возраста деревьев.