Ученые Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» нашли способ работы с черным фосфором  – материалом для электроники на иных физических принципах, который пока не используется.

Новый метод, как пишет ТАСС, позволяет тестировать вещество как полупроводник, что открывает возможности для создания на его основе компактной высокопроизводительной электроники, рассказал ТАСС специалист кафедры микро- и наноэлектроники (МНЭ) СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Семен Хахулин.

Черный фосфор имеет такую форму кристалла, которую можно разделить на плоские слои толщиной всего в один атом. Учитывая, что вещество является полупроводником, то в перспективе на его основе можно изготавливать сверхтонкие проводящие пленки для высокоэффективных систем связи, медицинской диагностики, зондирования земли на физических принципах фотоники.

Но чтобы использовать его в промышленности, необходимы методы для изучения его свойств и проведения экспериментов, которые позволили бы создать пленку с необходимыми параметрами под конкретные цели.

Метод позволил получить наиболее точные параметры полупроводниковых характеристик, в сравнении со всеми другими существующими методами.
Хахулин отметил, что разработанный метод позволит тестировать не только черный фосфор, но и перспективные полупроводниковые кристаллы других веществ, которые также могут стать основой для компактной производительной электроники на принципах фотоники – аналога электроники, использующего вместо электронов кванты электромагнитного поля – фотоны.

Разработанный учеными метод был успешно запатентован.

Ранее в Петербурге начали тестировать уникальный способ борьбы с сине-зелеными водорослями.