Ученые Института проблем машиноведения РАН в Петербурге создадут полупроводники нового поколения для микроэлектроники на основе карбида кремния.

Как пишет ТАСС, технология должна позволить изготавливать подложки из этого материала таких размеров, чтобы из них можно было делать в том числе транзисторы с высокими показателями для связи 5G.

«Суть проекта состоит в том, что в следующие три года мы будем разрабатывать специальные подложки кубического карбида кремния на кремнии для роста транзисторных гетероструктур нитрида галлия с высокой подвижностью носителей заряда. Это будет база для создания микроэлектроники нового поколения, которой нет еще нигде в мире», – рассказал руководитель лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах ИПМаш РАН Сергей Кукушкин.

Карбид кремния для микроэлектроники не является новым материалом – подложки из этого материала уже используются в строительстве электромобилей, в производстве беспилотных летательных аппаратов. Но потенциал материала остается нераскрытым – теоретически на его основе можно сделать транзисторы, которые обладали бы мощнейшими свойствами в управлении электрическими сигналами, при этом отличались бы большой износостойкостью и малой себестоимостью. Для этого подложки должны иметь диаметр более 50,8 мм, который остается недостижимым из-за технологических барьеров. Решить эту задачу намерены ученые ИПМаш РАН.

Ранее сообщалось, что российские ученые готовят аппарат для изучения космоса за пределами Солнечной системы.